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射频磁控反应溅射生长AlN薄膜
论文 | 更新时间：2020-08-11
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    • 射频磁控反应溅射生长AlN薄膜

    • AlUMINUM NITRIDE THIN FILM PREPARED BY RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING

    • 发光学报   1999年20卷第2期 页码：165-169

    • 纸质出版日期：1999-5-30，

      收稿日期：1998-7-13，

    扫 描 看 全 文

  • 赵彦立, 钟国柱, 范希武, 李长华. 射频磁控反应溅射生长AlN薄膜[J]. 发光学报, 1999,20(2): 165-169 DOI：

    Zhao Yanli, Zhong Guozhu, Fan Xiwu, Li Changhua. AlUMINUM NITRIDE THIN FILM PREPARED BY RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1999,20(2): 165-169 DOI：

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相关作者

张涵
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束俊鹏
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相关机构

温州大学 数理与电子信息工程学院
宁波大学 信息科学与工程学院
华南理工大学 材料科学与工程学院, 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室
南京大学 固体微结构国家实验室
宁波大学 信息科学与工程学院
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