您当前的位置：
首页 >
文章列表页 >
交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-01-05
|

    • 交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性

      增强出版

    • Photoelectric Characteristics of AC-driven Non-electrical Contact GaN-based Micro-LED Device

    • ”
    • 发光学报   2023年44卷第12期 页码：2242-2249

    • DOI：10.37188/CJL.20230234    

      中图分类号： TN303;TN304.2

    • 纸质出版日期：2023-12-05，

      收稿日期：2023-10-09，

      修回日期：2023-10-24，

    扫 描 看 全 文

  • 郭韫韵,翁书臣,邹振游等.交流驱动无电学接触GaN基Micro⁃LED器件光电特性[J].发光学报,2023,44(12):2242-2249. DOI： 10.37188/CJL.20230234.

    GUO Yunyun,WENG Shuchen,ZOU Zhenyou,et al.Photoelectric Characteristics of AC-driven Non-electrical Contact GaN-based Micro-LED Device[J].Chinese Journal of Luminescence,2023,44(12):2242-2249. DOI： 10.37188/CJL.20230234.

  •  
  •  

0

浏览量

307

下载量

0

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。
提交
工具集
下载
参考文献导出
分享
收藏
添加至我的专辑

相关文章

无电学接触型氮化镓基Micro⁃LED器件光电性能
蓝宝石衬底上的半极性面GaN基LED超快激光剥离
基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列

相关作者

许海龙
陈孔杰
陈培崎
周雄图
郭太良
吴朝兴
张永爱
郭韫韵

相关机构

江苏大学机械工程学院 光电信息科学与工程系
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 多功能材料与轻巧系统重点实验室
中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室
北京工业大学微电子学院 光电技术教育部重点实验室
0