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n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-04-08
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    • n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备

      增强出版

    • Preparation of n-Ga2O3/p-GaAs Heterojunction Solar-blind UV Photodetectors

    • 发光学报   2024年45卷第3期 页码：476-483

    • DOI：10.37188/CJL.20230320    

      中图分类号： O482.31;TN36

    • 纸质出版日期：2024-03-05，

      收稿日期：2023-12-16，

      修回日期：2024-01-03，

    移动端阅览

  • 党新明,焦腾,陈沛然等.n⁃Ga2O3/p⁃GaAs异质结日盲紫外探测器制备[J].发光学报,2024,45(03):476-483. DOI： 10.37188/CJL.20230320.

    DANG Xinming,JIAO Teng,CHEN Peiran,et al.Preparation of n-Ga2O3/p-GaAs Heterojunction Solar-blind UV Photodetectors[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(03):476-483. DOI： 10.37188/CJL.20230320.

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相关作者

党新明
焦腾
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韩宇
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董鑫

相关机构

吉林大学 电子科学与工程学院， 集成光电子学国家重点联合实验室
南京理工大学 材料科学与工程学院
南京邮电大学 射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室
南京邮电大学 集成电路科学与工程学院， 氧化镓半导体创新中心
泉州师范学院 化工与材料学院
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