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低维InP材料的表征和生长机理研究
材料合成及性能 | 更新时间：2024-09-25
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    • 低维InP材料的表征和生长机理研究

      增强出版

    • Characterization and Growth Mechanisms of Low Dimensional InP Materials

    • “磷化铟（InP）是一种重要的III-V族半导体材料，因其独特的光学和电学性质而得到了广泛的研究，在光电子、催化和医学方面具有潜在的应用。研究人员分别使用化学气相沉积（CVD）和原位生长方法成功合成了高质量的InP纳米线和纳米柱。使用SEM、EDS、XPS、拉曼光谱和TEM对纳米材料进行了表征，揭示了高度的结晶度和单晶结构。纳米线的生长机制被确定为汽液固（VLS）和纳米柱的固液固（SLS），为InP纳米材料的受控制备和大规模生产提供了新的见解。”
    • 发光学报   2024年45卷第5期 页码：779-793

    • DOI：10.37188/CJL.20240026    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2024-05-25，

      收稿日期：2024-01-30，

      修回日期：2024-02-20，

    移动端阅览

  • 牛艳萍,马淑芳,董浩琰等.低维InP材料的表征和生长机理研究[J].发光学报,2024,45(05):779-793. DOI： 10.37188/CJL.20240026.

    NIU Yanping,MA Shufang,DONG Haoyan,et al.Characterization and Growth Mechanisms of Low Dimensional InP Materials[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(05):779-793. DOI： 10.37188/CJL.20240026.

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