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发光学报

发光学报 发光学报
  • 主编：江风益
  • ISSN:1000-7032
  • eISSN:2097-3195
  • CN:22-1116/O4
  • 主办单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、中国物理学会发光分会
  • 出版周期：月刊
  • 电话：0431-86176862
  • 邮箱：fgxbt@126.com
  • 地址：长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
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Volume 46 期 4，2025 2025年46卷第4期

  • 封面文章

    “在深紫外LED领域，专家设计了氟树脂粘合石英透镜封装结构，有效提升LED出光效率，为表面灭活等应用提供解决方案。”

    康闻宇, 尹君, 黄家新, 项磊磊, 康俊勇

    DOI：10.37188/CJL.20240321
    摘要：针对AlGaN基深紫外LED出光效率低的难题，设计了氟树脂紧密粘合的石英透镜封装结构，有效解决了倒装结构LED光子从蓝宝石衬底出射时较大内全反射损失的难题。研究表明，较薄的界面氟树脂结合层可形成相对匹配的折射率过渡，实现光子出射最大化，典型250 nm深紫外LED出光强度可提升28%。在此基础上，设计了具有反射侧壁的陶瓷封装基板，用以提高深紫外LED横磁（Transverse magnetic， TM）模式出射光的提取和汇聚。仿真结果表明，不同波长的深紫外LED均实现了显著的提升，相较于对照样品不足50%的前向出光效率，引入反射型封装基板后最高可提升至94%，且对于波长短于250 nm的LED提升更显著，这与其更高比例的TM模式发光有关。进一步优化的石英透镜曲率使得LED出射光汇聚特性获得了有效调控，可满足深紫外LED在表面灭活等不同应用场景的光场分布需求。  
    关键词：AlGaN;深紫外LED;光提取;封装结构   
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    更新时间：2025-04-21

  • 特邀报告

    “在紫外光电探测领域，氧锌镁材料特性丰富，研究进展显著，为紫外探测器应用发展提供新可能。”

    朱勇学, 程祯, 刘可为, 申德振

    DOI：10.37188/CJL.20240307
    摘要：氧锌镁（ZnMgO）是由宽禁带半导体材料氧化锌（ZnO）和氧化镁（MgO）构成的三元合金，作为直接带隙宽禁带半导体，其禁带宽度理论上可在ZnO的3.37 eV和MgO的7.8 eV之间连续可调，并且具有纳米结构丰富、制备温度低、抗辐射能力强、稳定性高等特性，是一种优异的紫外光电探测材料。更为有趣的是，除了上述优点外，ZnMgO还具备压电性、热释电性和铁电性等丰富的物理性质，为其紫外探测器的应用拓展提供了新的可能，相关研究也成为近年来紫外探测领域的研究热点。鉴于此，本文全面综述了ZnMgO丰富的材料特性，重点介绍和讨论了能带工程、铁电/热释电/压电极化、低维结构等在其紫外探测器件的结构设计、性能调控和应用发展等方面的研究进展。  
    关键词：氧锌镁;紫外探测器;能带工程;纤锌矿铁电;柔性器件   
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    更新时间：2025-04-21
    “氧化锌负光电导特性研究，为构建高效逻辑电路、发光二极管、太阳能电池和超高分辨率成像传感器提供新思路。”

    张晴怡, 杨羽欣, 刘凯, 王雷, 陈峰, 徐春祥

    DOI：10.37188/CJL.20240270
    摘要：作为第三代半导体电子器件中最著名的n型金属氧化物之一，氧化锌因具有高检出率、高光学增益、高灵敏度等特点常用于高性能紫外光电探测器的构筑。氧化锌的光电导行为强烈依赖于其表界面性质和导带附近的缺陷态对光生载流子的捕获和去捕获。研究发现，由于载流子的损耗和缺陷捕获，在ZnO器件中还能够观察到持续光电导现象（Persistent photoconductivity）甚至负光电导（Negative photoconductivity，NPC）效应。本文从ZnO器件的正光电导机理出发，详细介绍了ZnO基器件中在不同制备条件和环境温度、不同驱动方式、介质复合和异质结构中观察到的负光电导现象及其产生负光电导效应的微观物理机制。氧化锌负光电导特性的研究可为构建高效逻辑电路、发光二极管、太阳能电池和超高分辨率成像传感器提供新思路。  
    关键词：氧化锌;光电性质;负光电导   
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    更新时间：2025-04-21

    ZnO基透明导电薄膜 增强出版 AI导读

    “最新研究进展显示，ZnO基透明导电薄膜在光电、传感等领域应用广泛，专家探讨了其光电特性及其内在关系，为未来发展提供新方向。”

    史钧达, 杨汝琪, 胡杜楠, 刘如敏, 余涛, 吕建国

    DOI：10.37188/CJL.20240271
    摘要：ZnO是一种典型的第三代半导体材料，宽禁宽度3.37 eV。本征ZnO是一种n型半导体，采用施主元素掺杂技术可以显著提升其n型导电特性。ZnO基透明导电薄膜具有原料来源丰富、制备方法多样、可室温生长等优势，可应用于光电、传感、光热等诸多领域。其中，Al掺杂ZnO（AZO）是一种典型的透明导电氧化物（TCO），备受关注。本文以AZO薄膜为主要代表，综述了ZnO基透明导电薄膜的最新研究进展，包括掺杂ZnO单层薄膜、ZnO基多层薄膜、柔性ZnO基薄膜等不同类型透明导电薄膜的物理化学性质；重点探讨了ZnO基透明导电薄膜的迁移率、禁带宽度、透射率/吸收率/反射率等光电特性及其内在关系；详细介绍了ZnO基透明导电薄膜在发光二极管、太阳能电池、传感器、半导体加热等领域的应用情况；最后对存在的挑战和未来发展趋势进行了展望。  
    关键词：氧化锌;透明导电薄膜;施主掺杂;AZO;光电特性   
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    更新时间：2025-04-21
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