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高功率1 150 nm垂直外腔面发射半导体激光器
器件制备及器件物理 | 更新时间：2024-09-26
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    • 高功率1 150 nm垂直外腔面发射半导体激光器

      增强出版

    • High Power 1 150 nm Vertical External-cavity Surface Emitting Semiconductor Laser

    • “在激光医疗和食品药品检测领域，研究者提出了一种新型高功率橙黄色激光器，实现了9.38瓦的稳定输出，为相关应用提供了新工具。”
    • 发光学报   2024年45卷第9期 页码：1531-1538

    • DOI：10.37188/CJL.20240126    

      中图分类号： TN248.4

    • 纸质出版日期：2024-09-25，

      收稿日期：2024-05-08，

      修回日期：2024-05-22，

    移动端阅览

  • 张志军,陈贺,张卓等.高功率1 150 nm垂直外腔面发射半导体激光器[J].发光学报,2024,45(09):1531-1538. DOI： 10.37188/CJL.20240126.

    ZHANG Zhijun,CHEN He,ZHANG Zhuo,et al.High Power 1 150 nm Vertical External-cavity Surface Emitting Semiconductor Laser[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(09):1531-1538. DOI： 10.37188/CJL.20240126.

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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 特种发光科学与技术重点实验室
长春理工大学理学院 高功率半导体激光国家重点实验室
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发光学及应用国家重点实验室
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