测试温度对nc-Si：H膜光致发光特性的影响

彭英才; 刘明; 何宇亮; 江兴流; 李国华; 韩和相

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测试温度对nc-Si：H膜光致发光特性的影响

稀土发光材料 | 更新时间：2020-08-11

- 测试温度对nc-Si：H膜光致发光特性的影响
- EFFECT OF MEASURE TEMPERATURE ON PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF nc-Si：H FILMS
- 发光学报 1998年19卷第1期页码：56-59
- 作者机构：
  
  1. 河北大学电子与信息工程系保定,071002
  2. 北京航空航天大学非晶态物理研究室北京,100083
  3. 中国科学院半导体研究所, 半导体超晶格国家重点实验室, 北京 100083
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  河北省自然科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1998-2-28，
  
  收稿日期：1997-7-7，
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彭英才, 刘明, 何宇亮, 江兴流, 李国华, 韩和相. 测试温度对nc-Si：H膜光致发光特性的影响[J]. 发光学报, 1998,19(1): 56-59

Peng Yingcai, Liu Ming, He Yuliang, Jiang Xingliu, Li Guohua, Han Hexiang. EFFECT OF MEASURE TEMPERATURE ON PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF nc-Si：H FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(1): 56-59
彭英才, 刘明, 何宇亮, 江兴流, 李国华, 韩和相. 测试温度对nc-Si：H膜光致发光特性的影响[J]. 发光学报, 1998,19(1): 56-59 DOI：

Peng Yingcai, Liu Ming, He Yuliang, Jiang Xingliu, Li Guohua, Han Hexiang. EFFECT OF MEASURE TEMPERATURE ON PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF nc-Si：H FILMS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1998,19(1): 56-59 DOI：

摘要

利用常规等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备了nc-Si:H膜

并对其光致发光(PL)特性从10～250K温度范围内进行了变温测量.实验结果指出

随着测试温度升高

PL峰值能量发生了54meV的红移

PL强度在

80K后呈指数下降趋势.PL峰值能量的红移起因于带隙的收缩

而PL强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用.

Abstract

nc-Si:H films were prepared using conventional PECVD technique

and its photoluminescence (PL) properties was measured under different temperatures.The results point out that PL peak energy have red shift of 54meV with temperature increase

but light intensity are expotentially reduced after T >80K.The shift of PL peak is due to shrinkage of band gap

and reduction of PL intensity is due to that non-radiation combinations play an important actions in the light emission properties of nc-Si:H films.

关键词

nc-Si：H膜光致发光带隙收缩非辐射复合量子尺寸效应

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