4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响研究

张睿洁; 郭亚楠; 吴涵; 刘志彬; 闫建昌; 李晋闽; 王军喜

doi:10.37188/CJL.20240080

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4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响研究

更新时间：2024-04-15

- 4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响研究
  增强出版
- The Effects of Growth Parameters on the Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates
- 发光学报 2024年页码：1-11
- 作者机构：
  
  1.中国科学院半导体研究所宽禁带半导体研发中心，北京 100083
  2.中国科学院大学材料科学与光电技术学院，北京 100049
  3.山西中科潞安紫外光电科技有限公司，山西长治 046000
- 作者简介：
  
  [ "张睿洁（1998－），女，山西运城人，博士研究生在读，2019年于西北大学获得学士学位，主要从事深紫外AlGaN基发光材料与器件的研究。E-mail： zhangruijie@semi.ac.cn" ]
  [ "郭亚楠（1989－），女，河南济源人，博士，副研究员，2017年于中国科学院半导体研究所获得博士学位，主要从事AlGaN基氮化物半导体材料和器件研究。E-mail： ynguo@semi.ac.cn" ]
  [ "闫建昌（1982－），男，山东菏泽人，博士，研究员，2009年于中国科学院半导体研究所获得博士学位，主要从事氮化物宽禁带半导体材料和器件，高效/新型紫外发光器件研究。E-mail： yanjc@semi.ac.cn" ]
  [ "王军喜（1975－），男，陕西西安人，博士，研究员，2003年于中国科学院半导体研究所获得博士学位，主要从事III族氮化物发光材料与器件的研究。E-mail： jxwang@semi.ac.cn" ]
- 基金信息：
  
  国家重点研发计划(2022YFB3605104);国家自然科学基金(62274163;62022080;62135013;62234001;62250071);北京市科技新星计划(20230484466);中国科学院青年创新促进会(2022000028;2023123);2023123
- DOI：10.37188/CJL.20240080
  中图分类号：
- 网络出版日期：2024-04-15，
  
  收稿日期：2024-03-26，
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张睿洁,郭亚楠,吴涵等.4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响研究[J].发光学报,

ZHANG Ruijie,GUO Yanan,WU Han,et al.The Effects of Growth Parameters on the Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates[J].Chinese Journal of Luminescence,
张睿洁,郭亚楠,吴涵等.4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响研究[J].发光学报, DOI：10.37188/CJL.20240080

ZHANG Ruijie,GUO Yanan,WU Han,et al.The Effects of Growth Parameters on the Stimulated Emission Characteristics of AlGaN-based Deep Ultraviolet Multiple Quantum Wells on 4H-SiC Substrates[J].Chinese Journal of Luminescence, DOI：10.37188/CJL.20240080

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DOI：10.37188/CJL.20240080