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Li（Sc, M）Si2O6∶Cr3+（M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+）的近红外发光性能
材料合成及性能 | 更新时间：2024-04-08
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    • Li（Sc, M）Si2O6∶Cr3+（M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+）的近红外发光性能

      增强出版

    • Near-infrared Luminescence of Li（Sc, M）Si2O6∶Cr3+（M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+）

    • “科技新闻播报：荧光转换型近红外发光二极管（NIR pc⁃LED）因其体积小、谱带宽、峰位易调谐等优点，已成为新一代NIR光源研究的热点。其关键要素在于研发能够被蓝光有效激发的高效宽带近红外荧光粉。研究者们在LiScSi2O6∶Cr3+荧光材料上取得了重要突破。这种材料的激发波长为460 nm，发射峰位在845 nm，光谱带宽达到156 nm，内量子效率高达64.4%。为了进一步优化这种材料的性能，研究者们通过M离子（M = Ga3+，Lu3+，Y3+，Gd3+）取代Sc3+的方式进行调控。然而，实验结果显示，引入M离子容易生成杂相或发生相变，从而降低了材料的发光性能。研究者们从晶体结构的角度出发，深入分析了这一调控过程，为未来的研究提供了新的思路和方向。这项研究成果不仅为NIR pc⁃LED的发展提供了重要的材料基础，也为相关领域的科学研究和技术应用带来了新的可能性。未来，随着对这一材料性能的进一步优化和完善，NIR pc⁃LED有望在更多领域展现出广阔的应用前景。”
      ”
    • 发光学报   2024年45卷第3期 页码：407-414

    • DOI：10.37188/CJL.20230325    

      中图分类号： O482.31

    • 纸质出版日期：2024-03-05，

      收稿日期：2023-12-19，

      修回日期：2024-01-01，

    扫 描 看 全 文

  • 卢紫微,刘永福,罗朝华等.Li（Sc, M）Si2O6∶Cr3+（M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+）的近红外发光性能[J].发光学报,2024,45(03):407-414. DOI： 10.37188/CJL.20230325.

    LU Ziwei,LIU Yongfu,LUO Zhaohua,et al.Near-infrared Luminescence of Li（Sc, M）Si2O6∶Cr3+（M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+）[J].Chinese Journal of Luminescence,2024,45(03):407-414. DOI： 10.37188/CJL.20230325.

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相关作者

卢紫微
刘永福
罗朝华
孙鹏
蒋俊
林利添
王新然
王凤翔

相关机构

广东省科学院 资源利用与稀土开发研究所， 稀有金属分离与综合利用国家重点实验室， 广东省稀土开发及应用研究重点实验室
内蒙古师范大学 物理与电子信息学院
内蒙古师范大学 内蒙古自治区功能材料物理与化学重点实验室
内蒙古自治区新能源储能材料工程研究中心
中国计量大学 光学与电子科技学院
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